Phát hiện ra cách tăng dung lượng lưu trữ chip nhớ lên 1.000 lần

Theo Bộ Khoa học về CNTT Hàn Quốc thì một nhóm nghiên cứu gồm Giáo sư Lee Jun-hee và nhóm của ông ta ở Viện Khoa học và Công nghệ Ulsan (UNIST) đã công bố một báo cáo về phát minh mới này trên tạp chí khoa học quốc tế và đã giành được sự chú ý từ các đồng nghiệp và ngành công nghiệp bán dẫn.

Phát hiện mới nhất của nhóm UNIST, do Quỹ Khoa học và Công nghệ Samsung tài trợ, sẽ cho phép các nhà sản xuất chip sản xuất chip nhỏ hơn hoặc mở rộng khả năng lưu trữ dữ liệu lên 1.000 lần bằng cách áp dụng một hiện tượng vật lý mới.

Giáo sư Lee Jun-hee đã tìm thấy một quy trình có thể kiểm soát các nguyên tử riêng lẻ trong vật liệu bán dẫn và cung cấp một bước đột phá cho việc tăng thêm giới hạn lưu trữ trong các vi mạch và thu nhỏ kích thước chip.

Khi áp dụng công nghệ mới này thì một mô hình bộ nhớ flash có thể lưu trữ 500 terabit trên mỗi cm vuông, dung lượng lưu trữ lớn hơn 1.000 lần so với chip nhớ flash hiện đang có sẵn trên thị trường.

Bộ Khoa học và CNTT Hàn Quốc cho biết, phát hiện mới nhất này cũng có thể mở đường cho việc phát triển các công nghệ với tiến trình sản xuất nửa nanomet, đây có thể là một thành tựu đột phá cho ngành công nghiệp bán dẫn đang phải đối mặt với các giới hạn về công nghệ với tiến trình 10nm hiện tại.

“Công nghệ cho phép lưu trữ dữ liệu trong các nguyên tử riêng lẻ là công nghệ lưu trữ cấp cao nhất trên trái đất, không phân chia các nguyên tử. Công nghệ này được kỳ vọng sẽ giúp thúc đẩy các nỗ lực giảm thiểu chất bán dẫn”, Giáo sư Lee Jun-hee nhận định.

Theo Phan Văn Hòa (Vietnamnet.vn)