3 điểm mới của chuẩn sạc nhanh Quick Charge 4+ trên Snapdragon 845

Được giới thiệu vào tuần trước, Snapdragon 845 sẽ được trang bị trên mẫu flagship Galaxy S9 của Samsung (dành cho thị trường Mỹ) cùng với Mi 7 đến từ Xiaomi (Trung Quốc) vào năm sau. Ngoài những nâng cấp về hiệu năng và phần cứng, điều mà mọi người chắc chắn sẽ rất quan tâm khi nói đến Snapdragon 845 là công nghệ sạc nhanh Quick Charge 4+.

Dưới đây là những tính năng mới của Quick Charge 4+ được Qualcomm công bố:

- Dual Charge: đã xuất hiện trên những phiên bản trước nhưng lần này được Qualcomm nâng cấp lên. Dual Charge gồm IC quản lý năng lượng thứ hai. Dòng điện qua thiết bị có Dual Charge sẽ được chia làm hai giúp máy bớt nóng và rút ngắn thời gian sạc.
- Intelligent Thermal Balancing (cân bằng nhiệt độ thông minh): tính năng nâng cao của Dual Charge giúp điều hướng nguồn điện đi qua con đường mát nhất để tránh quá nhiệt.
- Tính năng an toàn: Quick Charge 4 đã bao gồm những tính năng an toàn nhưng Quick Charge 4+ còn an toàn hơn thế với khả năng kiểm soát nhiệt độ nguồn ra nhằm bảo vệ cổng kết nối USB Type-C.

Kết hợp những cải tiến trên, Quick Charge 4+ giúp tăng hiệu suất sạc pin lên 30%, tốc độ sạc nhanh hơn 15% so với Quick Charge 4. Nếu bạn chưa biết, Nubia Z17 của ZTE (Trung Quốc) là thiết bị đầu tiên hỗ trợ chuẩn sạc nhanh này trên vi xử lý Snapdragon 835.

Theo Phúc Thịnh (Vnreview.vn)