Hệ thống sạc Flash Charging công suất megawatt của BYD đang trở thành tâm điểm chỉ trích tại Trung Quốc sau khi một cuộc thử nghiệm độc lập cho thấy nhiệt độ bộ pin tăng cao bất thường.

Vụ việc bắt nguồn từ buổi phát trực tiếp của James Yu (biệt danh Caishendao) - một KOL ôtô nổi tiếng tại Trung Quốc. Anh đã tiến hành sạc chiếc Fang Cheng Bao Tai 3 (một dòng xe của BYD) từ 8% đến 97% bằng trạm sạc siêu nhanh.

Kết quả ghi nhận từ các cảm biến độc lập khiến nhiều người giật mình, nhiệt độ bề mặt pin đỉnh điểm: Đạt 76,42°C. Trong khi cảm biến ngoài báo hơn 76°C, màn hình chẩn đoán trên xe chỉ hiển thị mức nhiệt cao nhất là 71°C.

09-1778297289-sac-sieu-nhanh-cua-byd-gay-soc-voi-muc-nhiet-76c-dot-pha-cong-nghe-hay-rui-ro-tiem-an
Nhiệt độ khi sạc nhanh tăng cao bất thường.

Mức nhiệt giữa các vị trí trên gói pin lệch nhau tới 6,5°C, cho thấy sự phân bổ nhiệt không đồng đều khi tiếp nhận dòng điện cường độ cao.

Dù hệ thống làm mát bằng chất lỏng của xe vẫn hoạt động suốt quá trình sạc, nhưng mức nhiệt vượt ngưỡng 76°C đã phá vỡ các khuyến nghị thông thường:

Theo tiêu chuẩn GB/T 44500-2024 của Trung Quốc, nhiệt độ tối đa cho pin LFP được khuyên ở mức 65°C. Thử nghiệm của BYD đã vượt xa con số này.

Các chuyên gia lo ngại mức nhiệt cận kề 80°C có thể gây phân hủy lớp SEI (Solid Electrolyte Interphase) bên trong pin, dẫn đến việc giảm dung lượng nhanh chóng và gây mất an toàn trong dài hạn.

09-1778297289-sac-sieu-nhanh-cua-byd-gay-soc-voi-muc-nhiet-76c-dot-pha-cong-nghe-hay-rui-ro-tiem-an

Cần lưu ý rằng 76°C mới chỉ là nhiệt độ bề mặt vỏ pin. Nhiệt độ thực tế bên trong các cell pin có thể còn cao hơn, nhưng hiện chưa có dữ liệu đo lường độc lập cho phần này.

Trước những bằng chứng từ Caishendao, phía BYD vẫn chưa đưa ra phản hồi chính thức hay điều chỉnh thông số kỹ thuật nào. Hãng hiện vẫn đang đẩy mạnh mạng lưới hơn 5.700 trạm sạc megawatt trên khắp Trung Quốc để phục vụ cho thế hệ pin Blade thứ hai.

KOL Caishendao khẳng định chiếc xe thử nghiệm được mua chính hãng và không hề bị can thiệp cấu trúc. Anh dự kiến sẽ thực hiện các bài đo chuyên sâu hơn ở cấp độ cell pin để làm rõ tác động của sạc siêu nhanh đến cấu trúc hóa học của bộ lưu trữ điện.

TN (SHTT)